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1、利用二極管 PN 結(jié)電壓與結(jié)溫的Vf-TJ 關(guān)系曲線,來測量LED 的結(jié)溫。
2、從上述介紹的各種 LED 結(jié)溫的測量方法可看出,采用監(jiān)視二極管PN 結(jié)電壓的變化來推算結(jié)溫的方法最具有可行性并且測量精度也最高,所以在很多集成IC 電路中,為了檢測IC 芯片的工作結(jié)溫,往往會(huì)刻出或值入1 個(gè)或幾個(gè)二極管,通過測量其正向電壓降的變化來達(dá)到測量芯片結(jié)溫的目的。
3、利用發(fā)光光譜峰位移測定結(jié)溫,也是一種非接觸的測量方法,直接從發(fā)光光譜確定禁帶寬度移動(dòng)技術(shù)來測量結(jié)溫,這一方法對光譜測試儀器分辨精度要求較高,發(fā)光峰位的精度測定難度較大,而光譜峰位移1 納米的誤差變化就對應(yīng)著測量結(jié)溫約30 度的變化,所以測量精度和重復(fù)性都比較低。
4、通過測量管腳溫度和芯片耗散功率和熱阻系數(shù)求得結(jié)溫。但是因?yàn)楹纳⒐β屎蜔嶙柘禂?shù)的不準(zhǔn)確,所以測量精度比較低。
5、紅外熱成像法,利用紅外非接觸溫度儀直接測量LED 芯片的溫度,但要求被測器件處于未封裝的狀態(tài),另外對LED 封裝材料折射率有特殊要求,否則無法準(zhǔn)確測量,測量精度比較低。
6、向列型液晶熱成像技術(shù),對儀器分辨率要求高,只能測量未封裝的單個(gè)裸芯片,不能測量封裝后的LED。